Argomenti
trattati:
b) Origine del componente;
c) L’effetto fotovoltaico;
d) Tecniche di produzione del silicio;
e) Componenti
del modulo fotovoltaico;
f) Certificazioni;
g) Ia
IIa
e IIIa
generazione;
h) Pregi
e difetti;
i) Confronto
pannelli monocristallino;
j) Impiego
dei pannelli.
a) Introduzione
La
situazione energetica mondiale è ormai da qualche anno un serio
problema che preoccupa l’intero pianeta.
La
sempre maggiore richiesta di energia, l’inquinamento prodotto dalle
centrali, responsabile degli stravolgimenti climatici dei nostri
giorni e il relativo impatto ambientale, fanno si che la ricerca nel
campo della generazione energetica con “fonti alternative”
rispetto a quelle tradizionali sia notevolmente in crescita.
In
questo contesto la fonte di energia più nobile ed inesauribile è
l’energia che proviene dal Sole.
Il
Fotovoltaico infatti è una tra le principali ed importanti
tecnologie che sfruttano la luce solare,
trasformandola
in energia elettrica, senza effetti negativi sull’ambiente.
A
differenza dei combustibili fossili e nucleari, destinati ad
esaurirsi in un tempo finito, queste forme di energia possono essere
considerate virtualmente inesauribili.
Molteplici
sono le applicazioni del fotovoltaico: dai piccoli e semplici
fabbisogni del singolo utente, ai grandi sistemi per comunità ed usi
commerciali.
In
effetti questi sistemi possono essere forniti in varie dimensioni di
potenza, voltaggio, grandezza, a seconda della richiesta.
b) Origine
del componente
Dal
silicio alle celle fotovoltaiche
Il
silicio è il materiale più utilizzato per la produzione di celle
fotovoltaiche (oltre il 90% dei moduli in commercio sono in silicio).
Subito dopo l’ossigeno, è l’elemento più abbondante sulla terra
ma in realtà questo materiale non esiste in forma pura ma solo sotto
forma di Ossido di Silicio (SiO2) o di composti contenenti Si come la
sabbia, il quarzo e l’argilla.
Il
silicio viene prima estratto dalle miniere e poi viene reso puro
attraverso diversi processi chimici.
Esistono,
tuttavia, vari gradi di purezza: per l’industria fotovoltaica il
grado di purezza stabilito deve essere 99,9999% (Silicio di grado
solare).
Nell’industria
fotovoltaica viene utilizzato nella sua forma cristallina (mono e
poli) ed in quella amorfa.
Nella
forma cristallina gli atomi di Si sono ordinati in maniera regolare,
mentre nella forma amorfa (come il vetro) sono distribuiti in maniera
casuale.
Il
lingotto di monocristallino normalmente ha un diametro di 20 cm, è
alto circa un metro e pesa da 70 a 75 kg.
Ai
lingotti di silicio una volta raffreddati viene tagliata la testa e
la coda (scarti utilizzati dall’industria FV) quindi vengono
sagomati e tagliati a fette “wafer” che costituiscono la base per
le celle finite.
c)
L’effetto fotovoltaico
La
conversione della radiazione solare in energia elettrica avviene
sfruttando l’effetto prodotto da un flusso luminoso che incide su
un materiale semiconduttore (quattro elettroni di valenza), quando quest’ultimo
incorpora, in un lato, atomi di drogante di tipo p (tre elettroni di
valenza) e nell’altro atomi di tipo n (cinque elettroni di
valenza).
Un
fotone (il fotone è l'unità elementare, priva di carica elettrica e
di massa, che si propaga alla velocità della luce: nel vuoto
c=299.792,5 km/s) dotato di energia, sulla base della relazione E =
h*v in
cui v rappresenta la frequenza e h la costante di Planck
(6,626*10^-34 js), è in grado di liberare all’interno della
giunzione (zona di contatto tra la parte drogata p e quella drogata
n) una coppia elettrone-lacuna
che, per effetto del campo elettrico tra i due strati drogati
differentemente, si spostano in verso opposto.
Utilizzando come semiconduttore il
silicio, l’energia necessaria a liberare una coppia
elettrone-
lacuna corrisponde ad una lunghezza d’onda
massima per la radiazione
luminosa di 1,15 µm.
La frazione eccedente questo limite,
avente cioè lunghezza d’onda maggiore e
quindi energia insufficiente, corrisponde a circa il
25% dell’energia complessivamente
contenuta dello spettro solare.
Il rimanente 75% risulta pertanto in
grado di liberare coppie elettrone-lacuna.
Tuttavia, come si è visto, al
diminuire della lunghezza d’onda ai fotoni risulta associata
un’energia sempre maggiore, ma in eccesso
rispetto a quella richiesta.
La parte eccedente costituisce un
surplus che va inevitabilmente perduto, ossia
trasformato in calore.
Ne segue che, con semiconduttori al
silicio, la percentuale di energia solare che è
teoricamente possibile convertire in energia
elettrica non supera il 44% circa.
Il rendimento delle celle
fotovoltaiche in silicio, anche nelle prove di laboratorio, è
tuttavia
molto distante da questo valore.
L'atomo di silicio possiede 14
elettroni, quattro dei quali sono elettroni di valenza, che
quindi
possono partecipare alle interazioni con altri
atomi sia di silicio sia di altri elementi.
In un cristallo di silicio puro (Fig.
A1) ogni atomo è legato in modo covalente ad altri
quattro atomi, quindi due atomi affiancati di un
cristallo di silicio puro hanno in comune una
coppia di elettroni,
uno dei quali appartenente all'atomo
considerato e l'altro appartenente
all'atomo vicino; esiste quindi
una forte relazione tra di essi.
Questo legame elettrostatico può
essere spezzato con una quantità di energia che permetta ad un elettrone di passare ad un livello
energetico superiore, cioè dalla banda di valenza
alla banda di conduzione, superando la banda
proibita; se l'energia fornita è sufficiente, per l'atomo di silicio
1.08eV (1 eV = 1.602 * 10^-19 J), l'elettrone
è libero di spostarsi, contribuendo così al flusso di elettricità.
Quando passa alla banda di conduzione,
l'elettrone si lascia dietro una buca, cioè una lacuna dove manca un elettrone.
Un elettrone vicino può andare
facilmente a riempire la lacuna, scambiandosi così di posto
con
essa.
Per sfruttare l’elettricità è
necessario creare un moto coerente di elettroni e di lacune,
ovvero
una corrente, mediante un campo elettrico
interno alla cella.
I cristalli di silicio possono essere
drogati, ovvero si inseriscono nella struttura cristallina
delle impurità; in particolare, degli atomi
di silicio vengono sostituiti con atomi del V gruppo
della tavola degli elementi detti donatori (in
genere fosforo) o con degli atomi del III gruppo
(in genere boro)
detti accettori.
Nello strato drogato con fosforo (Fig.
A2), che ha cinque elettroni esterni o di
valenza contro i quattro del silicio, è presente una carica
negativa debolmente legata
composta da un elettrone per ogni atomo di fosforo.
Analogamente, nello strato drogato con
boro (Fig. A3), che ha tre elettroni esterni, si
determina una carica positiva in eccesso composta
dalle lacune presenti negli atomi di boro
quando si legano al silicio.
Il primo strato, a carica negativa, si
indica con n, l'altro, a carica positiva, con p.
Una cella fotovoltaica è costituita
dall’accoppiamento di un semiconduttore di tipo p, con
prevalenza di accettori, e uno di tipo n, con
prevalenza di donatori, formando la giunzione
p-n (Fig. A4).
Attraverso la superficie di contatto
dei due semiconduttori alcuni elettroni passano dal
materiale di tipo n a quello di tipo p, mentre
alcune lacune si spostano in senso contrario.
Il materiale di tipo n acquista, di
conseguenza, una debole carica positiva, mentre quello di
tipo p diventa leggermente negativo.
Attorno alla zona di confine si
genera, pertanto, un campo elettrico diretto dal materiale di
tipo n
a quello di tipo p, a cui è associata
una differenza di potenziale Ve.
Questo strato impedisce ogni ulteriore
diffusione nei due versi dei portatori di carica.
Connettendo
il cristallo n al polo positivo di un generatore e il cristallo p a
quello negativo, si rafforza il campo elettrico, che si è instaurato
in precedenza e che impedisce il passaggio di corrente.
Se
si invertono invece le connessioni del generatore, la giunzione si
assottiglia e la corrente fluisce nel circuito.
La
giunzione p-n è quindi un dispositivo a senso unico, poiché
consente il passaggio della corrente in un solo senso: dal materiale
di tipo p a quello di tipo n (diodo a semiconduttore).
In
pratica la tipica cella fotovoltaica ha uno spessore complessivo tra
0,25 e 0,35 mm ed è costituita da silicio mono o policristallino.
Essa, generalmente di forma quadrata, misura solitamente 125x125
mm e produce, con un irraggiamento di 1 kW/m2
ad una temperatura di 25°C, una corrente compresa tra i 3 e i 4 A,
una tensione di circa 0,5 V e una potenza corrispondente a circa 3
Wp.
d)
Tecniche di produzione del Silicio.
Silicio
monocristallino: Processo Czochralski, metodo del floating zone e
metodo melting.
Processo
Czochralski (CZ)
Il
processo consiste nel sollevamento verticale a bassissima velocità
di un seme monocristallino di silicio, immerso inizialmente per pochi
millimetri in un crogiolo contenete silicio puro fuso.
Il
seme monocristallino è, in pratica, una bacchetta con sopra un
sottile strato di silicio in forma monocristallina.
Gli
atomi di silicio fuso, a contatto con il seme monocristallino, si
orientano secondo il reticolo atomico
della struttura del silicio.
La
temperatura del silicio nel crogiuolo è mantenuta di pochi gradi
superiore a quella di fusione (1414
°C), e aderendo al seme monocristallino, che gradualmente viene
estratto dalla massa fusa, si solidifica molto rapidamente
conservando la struttura monocristallina del seme a cui aderisce.
Il
controllo rigoroso della temperatura del materiale fuso,
dell'atmosfera nella camera, e della velocità di estrazione, nonché
assenza assoluta di vibrazioni, consente la produzione di fusi
perfettamente cilindrici e altamente puri.
L'operazione
successiva consiste nel tagliare il fuso tramite un disco diamantato,
ottenendo i dischi con spessore di pochi decimi di millimetro
chiamati wafer; i Wafer costituiranno quindi il supporto (substrato)
per i diversi dispositivi elettronici.
Dato
che la quantità di dispositivi ricavabili da una singola fetta è
proporzionale al suo diametro, col tempo si è cercato di realizzare
fusi con diametro sempre maggiore
Attualmente
si realizzano fusi con un diametro di circa 30 centimetri.
Un
cristallo di Si prodotto con il metodo Czochralski si indica con CZ.
Nel
metodo di float zone
(FZ) un
cristallo con struttura e composizione spuria si muove attraverso una
zona ove il materiale è liquido partendo da un germe cristallino
che, come nel metodo Czochralski, ne orienta gli atomi nella zona
fusa.
Questo
metodo è stato usato inizialmente per purificare i CZ sfruttando gli
effetti di segregazione delle impurezze e di riassestamento della
struttura nella zona fusa in forma di mono cristallo.
Questo
metodo permette di ottenere monocristalli di alta purezza e
cristallinità.
Nel
metodo FZ la fusione viene effettuata in vuoto o in gas inerte ed è
ad impurezze zero perché la zona di fusione non è a contatto
diretto con il crogiolo come nel processo CZ.
I
problemi del metodo FZ sono quelli correlati al collasso della zona
fusa che rimane compatta e solidale al solido grazie unicamente alle
forze di tensione superficiale del fuso.
Il diametro massimo per pani ottenuto con il metodo FZ è di 20 mm.
Con
metodi molto sofisticati si possono però raggiungere diametri 150
mm.
Metodo
Melting
Secondo
le tecniche tradizionali, il silicio a cristallo singolo, o
monocristallino, è ottenuto da un processo (detto Melting): si parte
dai cristalli di silicio di elevata purezza che, una volta fusi,
vengono fatti solidificare a contatto con un seme di cristallo;
durante il raffreddamento, il silicio gradualmente si solidifica
nella forma di un lingotto cilindrico di monocristallo del diametro
di 13-20 cm, con una lunghezza
che può raggiungere i 200 cm.
Successivamente,
il lingotto viene tagliato con speciali seghe a filo in fettine dette
wafers, con spessore
di 150-250 μm: il ridotto spessore del wafer ottenuto consente un
buon sfruttamento del lingotto, che si paga però con un’estrema
fragilità.
e) Componenti
del modulo fotovoltaico
Celle
Lo
spessore della cella è di soli 0,1-0,2 mm, quindi siamo in presenza
di una lamina molto fragile che, se non maneggiata con cura, potrebbe
poi essere interessata da rotture o crepe durante il normale funzionamento
negli anni, riducendo cosi la produzione energetica del modulo.
Bus-bar
Con
il termine bus-bar si identificano i collegamenti elettrici tra le
celle.
Gli
elettroni emessi dalla cella sono catturati da un reticolo conduttivo
che ricopre tutta la superficie della cella e convoglia gli elettroni
verso dei filamenti di sezione maggiore (tipicamente 2 o 3) che sono
utilizzati anche per il collegamento tra una cella e l’altra.
La
maggior parte dei moduli è dotata di due bus-bar, alcuni invece ne
hanno tre.
EVA
L’EVA
è un copolimero di etilene e di acetato di vinile.
Si
tratta di un composto estremamente elastico, che può essere
utilizzato per formare un materiale poroso simile alla gomma, ma con
durezza eccellente.
L’EVA
viene utilizzato nei moduli fotovoltaici a protezione delle celle.
Queste
vengono infatti racchiuse tra due fogli molto sottili in modo da
essere messe sotto vuoto. Risulta estremamente importante garantire
l’assenza assoluta di aria per evitare che con il tempo si
verifichino ossidazioni della cella, visibili come chiazze di colore
giallo sul modulo.
Queste
ossidazioni farebbero decadere enormemente le funzionalità della
cella interessata, cosa che a sua volta farebbe diminuire la potenza
generata dal modulo.
Tedlar
Il
Tedlar è il materiale che, unitamente a EVA, celle e vetro solare,
viene laminato a caldo per formare il modulo solare.
Si
tratta di un pannello flessibile dello spessore di circa 1mm, di
colore bianco, chimicamente inerte, resistente e leggero, che
rappresenta la parte posteriore del modulo FV.
Grazie
alle sue proprietà meccaniche, elettriche e chimiche, il Tedlar è
un materiale ideale per molti tipi di protezione delle superfici.
Mantiene
la sua forza e flessibilità all’interno della gamma di temperature
da -70°C fino a 110°C.
Ha
un allungamento di oltre il 100%, resistenza all’usura, agli agenti
atmosferici e ai raggi UV ed è facile da pulire.
Vetro
Il
vetro dei moduli è uno degli elementi più importanti in quanto ha
la funzione di proteggere le celle dagli agenti atmosferici e deve
chiaramente garantire la massima trasmissione della luce in modo che tutte
le radiazioni incidenti arrivino alle celle.
Il
vetro è composto principalmente da sabbia (60%), soda (19%),
dolomite (15%) e altri materiali.
Per
assicurare un’ottima trasmissività è indispensabile che il
contenuto di ferro sia estremamente basso.
In
linea generale l’assorbimento della luce da parte del vetro è
circa pari ad un punto percentuale.
Junction-box
Le
scatole di giunzione elettrica (dette anche junction- box) sono
dispositivi che contengono i vari collegamenti tra le celle e che
permettono il cablaggio dei moduli fotovoltaici.
Cornice
La
cornice del modulo fotovoltaico è un componente estremamente
importante perché assicura la resistenza meccanica del modulo
stesso.
f) Certificazioni.
Per
poter accedere agli incentivi del Conto Energia, i moduli
fotovoltaici devono possedere specifiche certificazioni che ne
attestino la qualità e la resistenza nel tempo. La norma principale
per i moduli in silicio cristallino è la IEC 61215 che deve
accompagnare obbligatoriamente ogni modulo che si intende utilizzare
per un impianto fotovoltaico connesso alla rete.
Elenchiamo
di seguito i test eseguiti per l’ottenimento di questa
certificazione:
- Ispezione visuale:
consiste nell’individuare le condizioni fisiche del modulo e i
difetti
disallineamento delle celle, sovrapposizioni, scoloriture,
etc.)
- Determinazione
della potenza massima del modulo, determinazione della caratteristica
I-V alle condizioni
standard di test (irraggiamento di 1000W/m2,
temperatura di 25°C, vento di 1m/s, Air
Mass di 1,5);
- Test d’isolamento:
consiste nel misurare una resistenza di isolamento superiore a 40MΩ
applicando una tensione di 1000V tra i morsetti d’uscita in corto;
- Misura
dei coefficienti di temperatura: consiste nel misurare la corrente
di corto circuito
(Isc) e la tensione
a circuito aperto (Voc) a diverse temperature con step di 5°C in un
range di almeno 30°C;
- Misura
della NOCT: consiste nella misura della temperatura normale di
lavoro della cella
con irraggiamento
di 800W/m2,
temperatura ambiente 20°C e velocità del vento 1m/s;
- Misura
delle caratteristiche elettriche in condizioni STC e NOCT: consiste
nella misura
delle caratteristiche
del modulo alle condizioni standard di test ed alle condizioni di
NOCT;
- Prestazioni
a basso irraggiamento: consiste nella misura dei parametri elettrici
con
irraggiamento di
200 W/m2
e temperatura di 25°C;
- Test
di esposizione alla radiazione solare: consiste nell’esposizione
alla radiazione solare per un totale
di 60 kWh/m2
con morsetti in corto circuito;
- Test
di durata all’oscuramento parziale: consiste in 5 esposizioni di 1h
a 1000W/m2
in
condizione di
oscuramento parziale;
- Test di esposizione
ad UV: consiste nell’esposizione alla radiazione ultravioletta per
un
totale di 15 kWh/m2;
- Cicli
termici: consiste nel sottoporre il modulo ad un numero di cicli da
50 a 200 da -40°C a +85°C applicando
la corrente di picco rilevata alle condizioni standard;
- Test
ad alta e bassa temperatura ed alta umidità: consiste nel sottoporre
il modulo a 10
cicli da +85°C
a -40°C, 85% di umidità;
- Test
di lunga esposizione ad alta umidità: consiste nell’esporre il
modulo per 1000h a
+85°C, 85% di
umidità;
- Test
di resistenza delle terminazioni: prova di resistenza su cavi e
connettori di serraggio
viti come
da operazioni di montaggio tipiche;
- Test
di isolamento in presenza di bagnato: consiste nel misurare una
resistenza di
isolamento superiore
a 400MΩ con il modulo totalmente immerso in acqua;
- Test
di carico meccanico: vengono effettuati 3 cicli di 2400 Pa
(corrispondenti alla
pressione esercitata
dal vento a 130 km/h) caricati in modo uniforme per 1h sul fronte e
sul retro del modulo;
- Test di resistenza
alla grandine, tramite lancio di sfere di 25mm di diametro sul modulo
alla velocità di 23m/s;
- Test
termici sul diodo di by-pass, 1h al valore della corrente di corto
circuito è 75°C.
La
certificazione IEC 61215 è valida solo per i moduli in silicio
cristallino.
g) Ia
IIa
e IIIa
generazione
Com’è
già stato detto in precedenza, questa tipologia di fotovoltaico è
basata sul semiconduttore inorganico per eccellenza: il silicio.
Questo particolare materiale si può presentare in “forme”
diverse secondo lo stato di aggregazione, o ordine cristallino, in
cui si trova. Infatti, si può parlare di:
- Silicio
monocristallino: è costituito da un cristallo singolo di silicio
avente un reticolo cristallino
continuo, senza interruzioni in tutto
il solido, con una struttura tetraedrica ordinata che si ripete su
larga scala.
- Silicio
policristallino (o multicristallino): è costituito da cristalli di
silicio non allineati, si ha
una struttura non omogenea.
Vediamo
le varie tipologie di celle che sfruttano queste tipologie di silicio
evidenziando i risultati che
sono stati raggiunti in termine di
efficienza di conversione. Per quanto riguarda le prove in
laboratorio, sono state rispettate le condizioni standard per lo
spettro solare (IEC
60904–3: 2008,
ASTM G-173–03 global)
AM1,5
(1000 W/m2)
alla temperatura di 25°C.
Celle
di I generazione (I G):
Silicio cristallino (mono e poli), GaAs (applicazioni spaziali).
Alto
costo per unita di potenza.
Celle
di II generazione (II G):
Silicio cristallino (ottimizzate), Silicio amorfo (film sottile), a
semiconduttore composto (GaAs, CdTe, CIS). Media efficienza; costo
ancora alto per unita di potenza.
Celle
di III generazione (III G):
Multi giunzione, strutture quantistiche, strutture organiche o
polimeriche a coloranti, a concentrazione. Superano il limite teorico
di efficienza per celle a singolo semiconduttore (≈31%) e tendono a
quello termodinamico per la conversione elettrica dell’energia
solare(≈87%).
Materiale |
Efficienza
record cella
|
Efficienza
record
modulo
|
Efficienza
moduli
commerciali
|
Silicio
monocristallino |
25.0% | 22.9% |
14-17%
|
Silicio
multicristallino |
20.4% | 17.55% | 12-14% |
Silicio amorfo | 10.1% | 12.5% | 6-8% |
h) Pregi
e difetti
Il
modulo monocristallino:
Pregi:
- E’
il migliore;
- Adatto
a chi ha un po' meno spazio;
- Produce
di più.
Difetti:
- Migliore
rendimento solo con la radiazione diretta;
- È
il più costoso;
- Antiestetico.
i) Confronto pannelli monocristallino
SHARP
garantisce
il
96% della
potenza
minima
durante
il primo anno
della
garanzia.
Dal
secondo
anno e
per
ogni anno successivo,
la
potenza
garantita
è
ridotta del
0,667%
in
ogni caso
calcolata
dalla potenza
iniziale
di
uscita minima.
Al
25°
anno,
è ancora garantita l'80%
della
potenza
iniziale
di
uscita minima.
La
garanzia
cessa
automaticamente
alla fine
del
25° anno.
L’elenco
dettagliato
dei
valori
di
garanzia annuale
è
mostrato
nella
seguente tabella:
Anno
|
Percentuale di
potenza minima garantita
|
Anno
|
Percentuale di
potenza minima garantita
|
1
|
96,0%
|
14
|
87,3%
|
2
|
95,3%
|
15
|
86,7%
|
3
|
94,7%
|
16
|
86,0%
|
4
|
94,0%
|
17
|
85,3%
|
5
|
93,3%
|
18
|
84,7%
|
6
|
92,7%
|
19
|
84,0%
|
7
|
92,0%
|
20
|
83,3%
|
8
|
91,3%
|
21
|
82,7%
|
9
|
90,7%
|
22
|
82,0%
|
10
|
90,0%
|
23
|
81,3%
|
11
|
89,3%
|
24
|
80,7%
|
12
|
88,7%
|
25
|
80,0%
|
13
|
88,0%
|
Servizi
di garanzia
per la Potenza
di uscita.
Se la potenza d'uscita del modulo è inferiore alla potenza garantita risultante dalla tabella,
Sharp deve a sua discrezione:
riparare il rispettivo modulo o
sostituire il rispettivo modulo o
compensare la mancanza di potenza del modulo non all'altezza del valore garantito per la durata del periodo restante della garanzia di potenza per mezzo di pagamento.
Se la potenza d'uscita del modulo è inferiore alla potenza garantita risultante dalla tabella,
Sharp deve a sua discrezione:
riparare il rispettivo modulo o
sostituire il rispettivo modulo o
compensare la mancanza di potenza del modulo non all'altezza del valore garantito per la durata del periodo restante della garanzia di potenza per mezzo di pagamento.
La
compensazione
di
pagamento è calcolata
come
somma forfettaria
come
segue:
€ 0,0007
euro
è
calcolato
come
pagamento
per
un
watt di
perdita
di potenza per
le
prestazioni garantite
per
ogni giorno
di
funzionamento,
oppure
rimborsare
il
prezzo
di acquisto
per
il rispettivo modulo
senza
detrazioni,
dove
SHARP
può
scegliere
questa
forma di compensazione
senza
il consenso
del
cliente finale
solo
se il
modulo
è
di
età superiore
a
10
anni e non ci
sono
più
pezzi
di ricambi adatti
disponibili
per
SHARP,
al fine di riparare
o
sostituire
il modulo,
o compensare
la mancanza di
potenza,
fornendo moduli
aggiuntivi,
se
il cliente finale
ha
spazio sufficiente
per
l'installazione di
moduli
aggiuntivi,
che
sono
elettricamente
compatibili con il sistema esistente.
SUNTECH
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